Poudre de carbure de silicium pour semi-conducteur

Poudre de carbure de silicium pour semi-conducteur

La combinaison unique de propriétés offertes par la poudre de SiC en fait un matériau attrayant pour une utilisation dans des applications de haute technologie, en particulier dans l'industrie des semi-conducteurs. Ses propriétés thermiques, mécaniques et électriques exceptionnelles permettent la production d'appareils électroniques hautes performances capables de fonctionner dans des environnements difficiles et de fournir des performances fiables sur une longue durée de vie.

Description

Description

La poudre de carbure de silicium (SiC) est un matériau populaire pour la fabrication de semi-conducteurs en raison de ses propriétés uniques, notamment une conductivité thermique élevée, une dureté élevée, une stabilité chimique et thermique élevée et une excellente conductivité électrique. La poudre de SiC est généralement utilisée dans la production de composants électroniques hautes performances, tels que les dispositifs d'alimentation, les LED et les cellules solaires.

 

Spécification

 

Propriété Valeur
Pureté Supérieur ou égal à 99,9 %
Structure en cristal Hexagonal (6H-SiC) ou Cubique (3C-SiC)
Répartition granulométrique D50: 0.5-5 μm; D90: 5-10 μm; D100: 10-50 μm
Surface spécifique (m2/g) 5-20
Densité (g/cm3) 3.20-3.22
Couleur Vert ou Noir
Échelle de dureté de Mohs 9.5
Conductivité thermique (W/mK) 150-200
Coefficient de dilatation thermique (10-6/K) 4.0-4.5
Résistivité électrique (ohm-cm) 10^-2 - 10^4 à température ambiante
Constante diélectrique 9.7 - 11.5
Tension de claquage (kV/cm) 200-400

Silicon Carbide Powder for Semiconductor

Silicon Carbide Powder for Semiconductor

La poudre de SiC pour les applications de semi-conducteurs est généralement emballée dans des conteneurs scellés pour protéger la poudre de la contamination et de la dégradation pendant le stockage et le transport. Il est également important de manipuler la poudre de SiC avec précaution pour éviter les irritations cutanées et respiratoires dues aux fines particules de poussière qui peuvent être générées lors de la manipulation.

Caractéristiques

Haute conductivité thermique

Stabilité chimique et thermique élevée

Excellente conductivité électrique

Haute dureté et résistance à l'usure

Faible dilatation thermique

étiquette à chaud: poudre de carbure de silicium pour semi-conducteur

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