Poudre de carbure de silicium pour semi-conducteur
La combinaison unique de propriétés offertes par la poudre de SiC en fait un matériau attrayant pour une utilisation dans des applications de haute technologie, en particulier dans l'industrie des semi-conducteurs. Ses propriétés thermiques, mécaniques et électriques exceptionnelles permettent la production d'appareils électroniques hautes performances capables de fonctionner dans des environnements difficiles et de fournir des performances fiables sur une longue durée de vie.
Description
Description
La poudre de carbure de silicium (SiC) est un matériau populaire pour la fabrication de semi-conducteurs en raison de ses propriétés uniques, notamment une conductivité thermique élevée, une dureté élevée, une stabilité chimique et thermique élevée et une excellente conductivité électrique. La poudre de SiC est généralement utilisée dans la production de composants électroniques hautes performances, tels que les dispositifs d'alimentation, les LED et les cellules solaires.
Spécification
| Propriété | Valeur |
|---|---|
| Pureté | Supérieur ou égal à 99,9 % |
| Structure en cristal | Hexagonal (6H-SiC) ou Cubique (3C-SiC) |
| Répartition granulométrique | D50: 0.5-5 μm; D90: 5-10 μm; D100: 10-50 μm |
| Surface spécifique (m2/g) | 5-20 |
| Densité (g/cm3) | 3.20-3.22 |
| Couleur | Vert ou Noir |
| Échelle de dureté de Mohs | 9.5 |
| Conductivité thermique (W/mK) | 150-200 |
| Coefficient de dilatation thermique (10-6/K) | 4.0-4.5 |
| Résistivité électrique (ohm-cm) | 10^-2 - 10^4 à température ambiante |
| Constante diélectrique | 9.7 - 11.5 |
| Tension de claquage (kV/cm) | 200-400 |


La poudre de SiC pour les applications de semi-conducteurs est généralement emballée dans des conteneurs scellés pour protéger la poudre de la contamination et de la dégradation pendant le stockage et le transport. Il est également important de manipuler la poudre de SiC avec précaution pour éviter les irritations cutanées et respiratoires dues aux fines particules de poussière qui peuvent être générées lors de la manipulation.
Caractéristiques
Haute conductivité thermique
Stabilité chimique et thermique élevée
Excellente conductivité électrique
Haute dureté et résistance à l'usure
Faible dilatation thermique
étiquette à chaud: poudre de carbure de silicium pour semi-conducteur
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