Conductivité thermique noire de poudre de carbure de silicium
Outre l'emballage, certains fabricants de poudres de SiC peuvent également proposer des services de traitement supplémentaires, tels que le tamisage, le calibrage et le traitement de surface. Le tamisage consiste à séparer la poudre de SiC en différentes gammes de tailles de particules, tandis que le calibrage consiste à trier la poudre par qualité ou pureté. Le traitement de surface peut comprendre l'ajout d'un revêtement ou la modification de la surface de la poudre pour améliorer ses propriétés ou sa compatibilité avec d'autres matériaux.
Description
Description
La poudre de carbure de silicium est généralement produite par un procédé appelé réduction carbothermique, qui consiste à chauffer un mélange de silice (SiO2) et de carbone (C) dans un four électrique. Les températures élevées provoquent une réaction entre la silice et le carbone, produisant du carbure de silicium (SiC) et du monoxyde de carbone (CO). Le SiC résultant est ensuite broyé et broyé en une poudre fine.
Une fois la poudre de SiC produite, elle est généralement emballée et stockée dans des conteneurs scellés pour la protéger de l'humidité et d'autres contaminants. Les matériaux d'emballage courants comprennent les sacs en plastique, les sacs en aluminium et les boîtes métalliques scellées. Il est important de manipuler la poudre avec précaution et d'éviter toute contamination, car les impuretés peuvent affecter les propriétés du SiC et réduire ses performances.
Spécification
Voici un tableau de certaines spécifications courantes pour la poudre de carbure de silicium :
Pureté : généralement 99 % ou plus, selon l'utilisation prévue
Taille des particules : peut varier de microns à plusieurs millimètres, selon l'application
Couleur : Vert ou noir
Dureté : Mohs 9,5
Densité : Typiquement autour de 3,2 g/cm3
Point de fusion : 2 730 degrés (4 946 degrés F)
Conductivité thermique : 370 W/mK à température ambiante pour 6H-SiC, 490 W/mK pour 3C-SiC
Résistivité électrique : 10^-3 ohm-cm à 10^5 ohm-cm, selon le type de SiC et les dopants utilisés


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