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Quelle est la différence entre le polysilicon et le silicium cristallisé?

 

 

Quelle est la différence entre le silicium monocristallin et le silicium polycristallin?

Propriété Silicium monocristallin Silicium polycristallin
Structure cristalline Réseau de cristal monocristallant continu Plusieurs petits cristaux avec des joints de grains
Méthode de fabrication Processus de Czochralski (lent, haute pureté) Couler du silicium fondu (plus rapide, rentable)
Efficacité (solaire) 15-24% (conversion d'énergie plus élevée) 13-18% (inférieur en raison des défauts de céréales)
Déchets ~ 50% de perte lors de la coupe des lingots cylindriques Déchets minimaux (moulure directe)
Apparence Hue noire noire uniforme Surface bleue mouchetée

 

Quelle est la différence entre le polysilicon et le silicium cristallisé?

Clarification: "Polysilicon" contre "Silicon cristallisé"

Polysilicon (poly-si)‌: synonyme desilicium polycristallin, se référant au silicium se solidifié en plusieurs grains cristallins.

Silicium cristallisé‌: pas un terme technique standard; implique généralement soitmonocristallin(entièrement cristallisé) oupolycristallin(partiellement cristallisé) Silicon. Les contextes industriels utilisent exclusivement "silicium polycristallin".

 

Quelles sont les matières premières du silicium polycristallin?

Matières premières pour la production de silicium polycristallin

Les entrées primaires comprennent:

Silicium de qualité métallurgique (MG-SI)‌: ~ 98% pur, dérivé de la réduction de quartzite dans les fours à arc.

Purificateurs chimiques‌: composés de chlore (par exemple, sihcl₃) pour le raffinement du processus Siemens.

Cristaux de graines‌: Fragments pour initier une solidification contrôlée dans les moules de coulée.

 

Le polycristallin est-il conducteur?

Conductivité électrique du silicium polycristallin

État inhérent‌: le poly-si pur est un ‌semi-conducteur‌-baignez comme isolant à zéro absolu mais gagne une conductivité avec une excitation thermique / lumière.

Dépendance à dopage‌: La conductivité est accordable:

Dopage du phosphore→ N-type (conduction électronique)

Dopage de bore→ Type P (conduction du trou)

Impact des limites des grains‌: Les interfaces cristallines dispersent les porteurs, réduisant la mobilité par rapport au mono-si. La conduction aux limites suit l'émission de Poole-Frenkel sous des champs élevés.

Métriques de performance clés

Mobilité électronique‌: mono-si: ~ 1 400 cm² / v · s|Poly-si:<800 cm²/V·s

Stabilité thermique‌: Poly-Si conserve l'intégrité structurelle jusqu'à 1 400 degrés, critique pour les processus à fort tempête.

Domination industrielle‌: Poly-Si constitutes >80% du volume de silicium solaire en raison de la production évolutive.

L'efficacité supérieure de Mono-Si justifie son utilisation dans les applications d'électronique et d'espace haut de gamme, tandis que le poly-Si domine les fermes solaires terrestres via une adoption axée sur les coûts.

 

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