Plaquette de silicium monocristallin double face polie
Nous fournissons des tranches de silicium de 100 mm, 150 mm, 200 mm, 300 mm, 450 mm et d'autres qualités de produits. Le modèle, la résistivité, l'orientation cristalline, l'épaisseur, etc. peuvent être personnalisés selon les exigences du client.
Description
Description
Plaquettes de silicium monocristallinsont de fines tranches circulaires de silicium monocristallin qui sont largement utilisées dans l'industrie électronique pour produire des circuits intégrés, des cellules solaires et d'autres composants électroniques. Voici quelques-unes de leurs caractéristiques et emballages :
Caractéristiques:
Haute pureté : Les plaquettes de silicium monocristallin sont fabriquées à partir d'un seul grand cristal de silicium de haute pureté, ce qui garantit qu'elles ont des niveaux extrêmement faibles d'impuretés et de défauts.
Uniformité : La structure cristalline des tranches de silicium monocristallin est hautement ordonnée et uniforme, ce qui les rend idéales pour une utilisation dans les composants électroniques où un comportement précis et prévisible est requis.
Efficacité : les tranches de silicium monocristallin sont très efficaces pour convertir la lumière en électricité, ce qui les rend idéales pour une utilisation dans les cellules solaires.
Faible dégradation induite par la lumière (LID) : les tranches de silicium monocristallin présentent une très faible LID lorsqu'elles sont exposées à la lumière du soleil, ce qui signifie que leurs performances ne se dégradent pas de manière significative avec le temps.
spécification
|
Matériaux |
Silicium de qualité optique |
|
Pureté |
>99,9999 pour cent |
|
Méthode de croissance |
ZF |
|
Taper |
N ou P |
|
Orientation |
<100>ou<111> |
|
Résistivité |
>100 ohm.cm |
|
Transmittance |
>52,5 % |
|
Concentration d'oxygène(1/cm3) |
<1×10E16 |
|
Concentration de carbone(1/cm3) |
<1×10E15 |
|
Concentration d'élément dopant (1/cm3) |
<1×10E17 |
|
Coefficient de dilatation thermique |
2.5(T=300k) |
|
Coefficient de dilatation linéaire |
(2-9)×10-6 k-1 |
|
Dureté, Mohs |
7.0 |
|
Densité |
2.33g/cm3 |
|
Point de fusion |
1414 degrés |
|
Constante diélectrique |
13 |


Emballage
Protection : les tranches de silicium monocristallin sont extrêmement délicates et cassantes. Elles doivent donc être soigneusement manipulées et protégées lors de l'emballage pour éviter tout dommage.
Propreté : Les wafers doivent être emballés dans un environnement propre pour éviter toute contamination, ce qui pourrait affecter leurs performances.
Planéité : Les tranches de silicium monocristallin doivent être emballées de manière à préserver leur planéité et à empêcher le gauchissement ou la flexion, ce qui pourrait affecter leurs performances.
Antistatique : les matériaux d'emballage doivent être antistatiques pour éviter les dommages causés par les décharges électrostatiques.
étiquette à chaud: tranche de silicium monocristallin double face polie
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